声表面波器件晶圆键合工艺    紫外视觉打标机


声表面波器件向小型化、集成化、更高性能方向发展，需要制作复合单晶薄膜和采用晶圆级封装。该文针对关键工艺中的晶圆键合工艺开展研究，提出工艺要求，简述有关键合工艺要求和设备特点，并进行了金属键合工艺验证。实验证明，设备和工艺能满足产品封装要求。www.dwinauto.com

声表面波（ＳＡＷ）器件是利用在压电晶圆上叉指换能器产生的声波对电信号进行处理的固体器件，可用作滤波器、延迟线、振荡器。声表面波器件广泛应用于通信、雷达等电子信息系统中。随着新一代电子信息系统及５Ｇ通信发展，声表面波器件向小型化、可集成化和更高性能方向发展。www.dwinauto.com

为满足ＳＡＷ器件小型化、可集成化的需求，出现了目前体积最小的晶圆级封装（ＷＬＰ）ＳＡＷ器件，这是ＳＡＷ器件小型化重要的发展方向。其封装尺寸几乎与芯片相同，典型尺寸为０．８ｍｍ×０．６ｍｍ×０．２６ｍｍ，并可与有源、无源器件集成，形成系统级封装模块。www.dwinauto.com

传统的ＳＡＷ器件由于具有较大的频率温度系数和低的矩形系数，杂散信号进入通带，导致系统抗干扰能力下降。同时，随着器件频率的升高，ＳＡＷ会以体波的形式向体单晶内辐射能量，导致ＳＡＷ器件的品质因数（Ｑ）值降低，器件性能恶化。为解决以上问题，ＳＡＷ器件通过在衬底上制作复合单晶薄膜，采用慢声速层和高声速层形成的布喇格反射层将能量集中在单晶薄膜表面，防止能量泄漏，以实现具有高Ｑ值、低频率温度系数、良好散热性的高性能ＳＡＷ器件。www.dwinauto.com

ＳＡＷ器件晶圆键合技术：ＳＡＷ器件晶圆级封装和制作复合单晶薄膜均需用到晶圆键合技术，此技术可以将同质或异质材料的晶圆结合在一起，是可靠且高强度的晶圆结合工艺技术。www.dwinauto.com

 晶圆级封装键合工艺：根据产品使用要求，ＳＡＷ器件晶圆封装分为非气密封装和气密封装，如图１所示。为保障器件的有效工作，器件非气密性封装利用光敏的聚合物在声表面波功能区周围形成聚合物框，采用粘接键合的方式将封盖晶圆键合到声表面波晶圆上。气密性封装利用金属密封层，通过金属键合工艺，将封盖晶圆和ＳＡＷ器件功能晶圆结合在一起。www.dwinauto.com